FGH40T65UPD中文资料650V，40A，场截止沟道 IGBT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列产品采用创新型场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

最大结温TJ = 175°C
正温度系数，适合并联运行
高电流能力
低饱和电压：VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 40A
高输入阻抗
紧密的参数分布
符合 RoHS 标准
短路耐用性：> 5µs @ 25°C

应用 Application

不间断电源其他工业

简介

FGH40T65UPD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由ONSEMI制造生产的FGH40T65UPD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。