Field-Stop Trench IGBT

DESCRIPTION · High Input Impedance · High Current Capabilityt · Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.65 V(Typ.) @ IC = 40 A APPLICATIONS ·Solar Inverter, UPS, Welder, Digital Power Generator ·Telecom, ESS

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ISC

无锡固电

650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

650V，40A，场截止沟道 IGBT

飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列产品采用创新型场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。 最大结温TJ = 175°C\n 正温度系数，适合并联运行\n 高电流能力\n 低饱和电压：VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 40A\n 高输入阻抗\n 紧密的参数分布\n 符合 RoHS 标准\n 短路耐用性：> 5µs @ 25°C;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3

ONSEMI

安森美半导体