FGH40T65SHDF中文资料IGBT，650 V，40A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

Fairchild 新推出的第三代场截止 IGBT 系列产品，采用创新的场截止 IGBT 技术，可提供卓越的导通和开关性能以及简单的并联运行。 该器件非常适合谐振或软开关应用，比如感应加热和 MWO。

特性 Features

•最大结温： TJ = 175°C
•高电流能力
•ILM
•高输入阻抗
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准

简介

FGH40T65SHDF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40T65SHDF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。