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FGH40T65SH中文资料650 V、40 A 场截止沟道 IGBT数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGH40T65SH |
| 参数属性 | FGH40T65SH 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3 |
| 功能描述 | 650 V、40 A 场截止沟道 IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 13:01:00 |
| 人工找货 | FGH40T65SH价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH40T65SH规格书详情
描述 Description
Fairchild 的场截止第三代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
简介
FGH40T65SH属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH40T65SH晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGH40T65SH
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：0.297
- Eon Typ (mJ)
：1.01
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：72.2
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：268
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
50000 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
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ON/原价优 |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
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TO-247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
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FCS |
20+ |
TO-2473L |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247-3 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON-SEMI |
22+ |
N/A |
42300 |
只做原装正品 |
询价 |
