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FGD3245G2-F085	文件：344.15 Kbytes Page：10 Pages	Marking：FGD3245G2；Package：DPAK3；ECOSPARK2 320 mJ, 450 V, N-Channel Ignition IGBT GeneralDescription TheFGB3245G2−F085andFGD3245G2areN−channelIGBTs designedinonsemi’sECOSPARK−2technologywhichhelpsin eliminatingexternalprotectioncircuitry.Thetechnologyisoptimized fordrivingthecoilintheharshenvironmentofautomotiveignition systemsandoffersout	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGD3245G2-F085V	文件：2.24222 Mbytes Page：8 Pages	Marking：FGD3245G2；Package：DPAK；EcoSPARK 2 Ignition IGBT 320 mJ, 450 V, N-Channel Ignition IGBT Features •SCISEnergy=320mJatTJ=25°C •LogicLevelGateDrive •LowSaturationVoltage •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •AutomotiveIgnitionCoilDriverCircuits •HighCurrentIgnitionSystem •CoilonPlugA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGD3245G2-F085	文件：1.11875 Mbytes Page：8 Pages	Marking：FGD3245G2；Package：TO252AA；EcoSPARK짰2 320mJ, 450V, N-Channel Ignition IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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GeneralDescription TheFGB3245G2−F085andFGD3245G2areN−channelIGBTs designedinonsemi’sECOSPARK−2technologywhichhelpsin eliminatingexternalprotectioncircuitry.Thetechnologyisoptimized fordrivingthecoilintheharshenvironmentofautomotiveignition systemsandoffersout

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Features •SCISEnergy=320mJatTJ=25°C •LogicLevelGateDrive •LowSaturationVoltage •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •AutomotiveIgnitionCoilDriverCircuits •HighCurrentIgnitionSystem •CoilonPlugA

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