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FGH30S130P	文件：823.84 Kbytes Page：10 Pages	型号：FGH30S130P；Package：TO-247；1300 V, 30 A Shorted-anode IGBT Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.75V@IC=30A •HighInputImpedance •RoHSCompliant GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchandshorted-anodetechnology,Fairchild’sshorted-anodetrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitching	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FGH30S130P

文件：823.84 Kbytes

Page：10 Pages

型号：FGH30S130P；Package：TO-247；1300 V, 30 A Shorted-anode IGBT

Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.75V@IC=30A •HighInputImpedance •RoHSCompliant GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchandshorted-anodetechnology,Fairchild’sshorted-anodetrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitching

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
FGH30S130P
功能描述：
IGBT 晶体管 1300V 30A FS SA Trench IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FGH30S130P供应商更新时间2025-7-29 8:12:00

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