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FGH40N60UFD	文件：542.37 Kbytes Page：10 Pages	型号：FGH40N60UFDTU；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 40 A Description UsingnovelFieldStopIGBTtechnology,ONSemiconductor’s fieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter, UPS,welder,microwaveoven,telecom,ESSandPFCapplications wherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40N60UF	文件：635.37 Kbytes Page：9 Pages	型号：FGH40N60UFTU；Package：TO-247；600 V, 40 A Field Stop IGBT Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.8V@IC=40A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant Applications •SolarInverter,UPS,Welder,PFC GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopIGBTso	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FGH40N60UFD

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型号：FGH40N60UFDTU；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 40 A

Description UsingnovelFieldStopIGBTtechnology,ONSemiconductor’s fieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter, UPS,welder,microwaveoven,telecom,ESSandPFCapplications wherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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FGH40N60UF

文件：635.37 Kbytes

Page：9 Pages

型号：FGH40N60UFTU；Package：TO-247；600 V, 40 A Field Stop IGBT

Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.8V@IC=40A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant Applications •SolarInverter,UPS,Welder,PFC GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopIGBTso

ONSEMION Semiconductor

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详细参数

型号：
FGH40N60UF
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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