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FGB30N6S2	文件：259.31 Kbytes Page：11 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT 文件：259.31 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB3236	文件：583.3 Kbytes Page：10 Pages	FGB3236_F085 / FGI3236_F085 EcoSPARKTM 320mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT 文件：583.3 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB3236F085	文件：908.46 Kbytes Page：10 Pages	EcoSPARK 320mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT 文件：908.46 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB3245G2-F085	文件：1.11875 Mbytes Page：8 Pages	丝印：FGB3245G2；Package：TO263AB；EcoSPARK짰2 320mJ, 450V, N-Channel Ignition IGBT 文件：1.11875 Mbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGB40N60SM	文件：850.83 Kbytes Page：9 Pages	600V, 40A Field Stop IGBT 文件：850.83 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB40T65SP	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	Field Stop Trench IGBT 文件：946.61 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGB40T65SP_F085	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	Field Stop Trench IGBT 文件：946.61 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGB40T65SPD	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	Field Stop Trench IGBT 文件：946.61 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGB5N60UNDF	文件：794.43 Kbytes Page：9 Pages	600V, 5A Short Circuit Rated IGBT 文件：794.43 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGB7N60UNDF	文件：754.78 Kbytes Page：9 Pages	600V, 7A Short Circuit Rated IGBT 文件：754.78 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
28A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值：
125W
开关能量：
25µJ（开），58µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
30nC
25°C 时 Td（开/关）值：
7.7ns/87ns
测试条件：
390V，7A，25 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：
31ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB

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