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FGB40T65SP	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	Field Stop Trench IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGB40T65SP_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，650V，40A，场截止沟槽; • 符合 AEC-Q101 标准\n• 低饱和电压： VCE(sat) = 2.0 V（典型值） @ IC = 40 A\n• 部件 100% 进行动态检测（备注 1\n• 短路耐用性 >5 us @ 25°C\n• 最高结温： TJ = 175°C\n• 快速开关\n• 紧密的参数分布\n• 正温度系数，易于并联运行\n• 与快速软恢复极快速二极管共封装\n•符合 RoHS 标准\n; FGH40T65SPD_F085 采用新型场截止第三代 IGBT 技术，为各种低导通和开关损耗的应用在高效运转提供最佳性能，同时提供 50 V 高阻断电压和强大的高电压切换可靠性。同时，该部件还可并行运行条件下提供杰出性能。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGB40T65SPD	文件：370.79 Kbytes Page：3 Pages	Field-Stop Trench IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·MotorDriver ·AutomotiveChargers ·OnboardCharge ·AirConCompressor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGB40T65SPD-F085	文件：2.02757 Mbytes Page：10 Pages	丝印：FGB40T65SPD；Package：D2PAK-3；IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A GeneralDescription Usingthenovelfieldstop3rdgenerationIGBTtechnology, FGH40T65SPD−F085offerstheoptimumperformancewithbothlow conductionlossandswitchinglossforahighefficiencyoperationin variousapplications,whileprovides50Vhigherblockingvoltageand ruggedhigh	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGB40T65SP_F085	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	Field Stop Trench IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGB40T65SPD	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	Field Stop Trench IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
650
VF Typ (V)：
2
Eoff Typ (mJ)：
0.28
Eon Typ (mJ)：
0.97
Gate Charge Typ (nC)：
36
Short Circuit Withstand (µs)：
5
PD Max (W)：
267
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市达恩科技有限公司	FGB40T65SPD_F085	ONSemiconductor	24+	NA	3476	进口原装正品优势供应	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	FGB40T65SPD-F085	安森美	21+		12588	原装现货,价格优势	询价
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更多FGB40T65SP供应商更新时间2025-7-29 14:17:00

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