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FGB40T65SPD-F085	文件：2.02757 Mbytes Page：10 Pages	Marking：FGB40T65SPD；Package：D2PAK-3；IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A GeneralDescription Usingthenovelfieldstop3rdgenerationIGBTtechnology, FGH40T65SPD−F085offerstheoptimumperformancewithbothlow conductionlossandswitchinglossforahighefficiencyoperationin variousapplications,whileprovides50Vhigherblockingvoltageand ruggedhigh	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FGB40T65SPD-F085

文件：2.02757 Mbytes

Page：10 Pages

Marking：FGB40T65SPD；Package：D2PAK-3；IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A

GeneralDescription Usingthenovelfieldstop3rdgenerationIGBTtechnology, FGH40T65SPD−F085offerstheoptimumperformancewithbothlow conductionlossandswitchinglossforahighefficiencyoperationin variousapplications,whileprovides50Vhigherblockingvoltageand ruggedhigh

ONSEMION Semiconductor

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更多FGB40T65SPD供应商更新时间2025-5-24 13:31:00

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