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FGB40T65SP_F085中文资料IGBT，650V，40A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书
FGB40T65SP_F085规格书详情
描述 Description
FGH40T65SPD_F085 采用新型场截止第三代 IGBT 技术，为各种低导通和开关损耗的应用在高效运转提供最佳性能，同时提供 50 V 高阻断电压和强大的高电压切换可靠性。 同时，该部件还可并行运行条件下提供杰出性能。
特性 Features
• 符合 AEC-Q101 标准
• 低饱和电压： VCE(sat) = 2.0 V（典型值） @ IC = 40 A
• 部件 100% 进行动态检测（备注 1
• 短路耐用性 >5 us @ 25°C
• 最高结温： TJ = 175°C
• 快速开关
• 紧密的参数分布
• 正温度系数，易于并联运行
• 与快速软恢复极快速二极管共封装
•符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：FGB40T65SP_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- VF Typ (V)
：2
- Eoff Typ (mJ)
：0.28
- Eon Typ (mJ)
：0.97
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：36
- Short Circuit Withstand (µs)
：5
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：267
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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