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FGB40N60SM中文资料IGBT,600V,40A,场截止数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGB40N60SM

功能描述

IGBT,600V,40A,场截止

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FGB40N60SM规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用的是新颖的电场截止型 IGBT 技术,为低导通和开关损耗的焊接和 PFC 应用提供最优性能。

特性 Features

•最大结温TJ =175 °C
•正温度系数,易于并联运行
•高电流能力
•低饱和电压:VCE(sat) =1.9V(典型值)@ IC =40A
•快速开关:EOFF =6.5uJ/A
•紧密的参数分布
•符合 RoHS 标准
•仅红外回流焊

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FGB40N60SM

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :40

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.9

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.26

  • Eon Typ (mJ)

    :0.87

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :119

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :349

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-263-3
1471
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