FDZ191P中文资料P 沟道，1.5V 指定，PowerTrench® WL-CSP MOSFET，-20V，-1A，85mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

FDZ191P的设计采用了飞兆先进的1.5 V PowerTrench工艺和一流的\"微间距\"WLCSP封装工艺，可最大限度地减少PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。 .

特性 Features

•最大rDS(on) = 85mΩ （VGS = -4.5V, ID = -1A）
•最大 rDS(on) = 123 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -1 A 时）
•最大 rDS(on) = 200 mΩ（VGS = -1.5 V、ID = -1 A 时）
•仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
•超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection