FDT86256中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，1.2A，845mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDT86256规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•VGS = 10V，ID = 1.2 A时，最大rDS(on) = 845mΩ
•VGS = 6.0 V，ID = 1.0 A时，最大rDS(on) = 1280mΩ
•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• 消费型设备
• DC-DC Conversion
• Inverter
• Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
：FDT86256
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1.2
- PD Max (W)
：10
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：845
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.8
- Ciss Typ (pF)
：55
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2019+ |
SOT-223 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
CCSEMI/芯能圆 |
24+ |
SOT-223 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-223-4 |
10613 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
505251 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT-223 |
2236 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILDRCHILD |
23+ |
SOT223 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILDRCHILD |
23+ |
SOT223 |
7000 |
询价 | |||
FAIRCHILDRCHILD |
2447 |
SOT223 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
