FDT86256数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDT86256规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 1.2 A时,最大rDS(on) = 845mΩ
•VGS = 6.0 V,ID = 1.0 A时,最大rDS(on) = 1280mΩ
•与其他沟道技术相比,具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• 消费型设备
• DC-DC Conversion
• Inverter
• Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
:FDT86256
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:1.2
- PD Max (W)
:10
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:845
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:0.8
- Ciss Typ (pF)
:55
- Package Type
:SOT-223-4/TO-261-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3200 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-223 |
12238 |
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1983 |
只做原装正品 |
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SOT-223 |
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FAIRCHILDrchild |
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SOT223 |
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SOT-223 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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FAIRCHILD |
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SOT-223 |
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SOT-223 |
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CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
SOT-223 |
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