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FDT86256数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDT86256

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,1.2A,845mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDT86256规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 1.2 A时,最大rDS(on) = 845mΩ
•VGS = 6.0 V,ID = 1.0 A时,最大rDS(on) = 1280mΩ
•与其他沟道技术相比,具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• 消费型设备
• DC-DC Conversion
• Inverter
• Synchronous Rectifier

技术参数

  • 制造商编号

    :FDT86256

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :1.2

  • PD Max (W)

    :10

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :845

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.8

  • Ciss Typ (pF)

    :55

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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