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FDT86244数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDT86244

功能描述

150V N沟道Power Trench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDT86244规格书详情

描述 Description

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性 Features

•VGS = 10 V且ID = 2.8A时,最大rDS(on) = 128 mΩ
•VGS = 6 V且ID = 2.4A时,最大rDS(on) = 178 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• 消费型设备
• Load Switch
• Primary Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDT86244

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :2.8

  • PD Max (W)

    :2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :128

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.8

  • Ciss Typ (pF)

    :295

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT223-4
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ON/安森美
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