FDT86246数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDT86246规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 2 A时，最大rDS(on) = 236 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 1.7 A时，最大rDS(on) = 329 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Load Switch
• Primary Switch
技术参数
- 制造商编号
：FDT86246
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2
- PD Max (W)
：2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：236
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.7
- Ciss Typ (pF)
：161
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT2234 |
7350 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
960 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
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三年内 |
1983 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT223 |
20300 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT223 |
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FAIRCHILD |
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SOP223 |
150 |
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NA |
20094 |
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FAIRCHILD |
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SOP223 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
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