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FDT86246L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDT86246L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,2A,228mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:10:00

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FDT86246L规格书详情

描述 Description

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体的高级 PowerTrench® 工艺生产,该工艺专为实现 rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性 Features

• 最大 rDS(on) = 228 mΩ(VGS = 10 V、ID = 2 A)
• 最大 rDS(on) = 280 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 1.8 A)
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率、高处理能力、采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

应用 Application

• Load Switch
• Primary Switch
• Buck/Boost Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDT86246L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :2

  • PD Max (W)

    :2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :280

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :228

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.3

  • Ciss Typ (pF)

    :238

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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