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FDS6064N3	文件：189.85 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(O 文件：189.85 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDS6064N7	文件：198.91 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(O 文件：198.91 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDS6005	文件：163.43 Kbytes Page：2 Pages	0.05 TO 3.0 GHz: INPUT 0.1 to 6.0 GHz: OUTPUT SMTO-8 FREQUENCY DOUBLER 文件：163.43 Kbytes 页数：2 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
FDS6005	文件：300 bytes Page：1 Pages	Frequency Doublers Frequency Input from 0.05MHz to 12GHz Frequency Output from 0.1MHz to 24 GHz Low Conversion Loss from 10.0 dB Typical to 14.0 dB Max High Fundamental Suppression	Teledyne RF&Microwave	Teledyne RF&Microwave
FDS6064N3	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS6064N7	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FDS60
功能描述：
MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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