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FDS6680A-NL	文件：1.76729 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=20V,ID=10A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDS6680AS	文件：1.01191 Mbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680AS	文件：551.45 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDS6680ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6680ASincludesanintegratedSchottkydio	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680AS_NL	文件：551.45 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDS6680ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6680ASincludesanintegratedSchottkydio	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6680S	文件：222.28 Kbytes Page：9 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET? GeneralDescription TheFDS6680SisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6680SincludesanintegratedSchottkydiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDU6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDU6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •46A,30VRDS(ON)=10mΩ@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDU6680A	文件：126.83 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GSC6680	文件：280.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
LAKW6680MEL	文件：77.19 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式会社	nichicon

详细参数

型号：
FDS6680A_Q
功能描述：
MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS6680A_Q供应商更新时间2025-7-20 15:24:00

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