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FDS6064N7	文件：198.91 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(O 文件：198.91 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS6064N7	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
FDS6064N7
功能描述：
MOSFET SO-8 N-CH 20V 23A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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