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FDS6572A	文件：75.78 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •16A,20	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FP6572	文件：44 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
L6572	文件：435.62 Kbytes Page：22 Pages	Highvoltagesmartballastcontroller Features ■600Vhalf-bridgedriver ■Integratedbootstrapdiode ■Failureprotectionlogic ■Programmabledeadtime ■Programmablepreheatedstart ■Two-stepdimmingwithprogrammabledimmed current ■Thermalpowerboost ■Closedloopcontroloperation Applications ■CFLi ■Electronic	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LA6572	文件：106.2 Kbytes Page：9 Pages	5-CHDriverforMiniDisc Overview TheLA6572poweramplifier5-channel(BTL)built-in. Features •Poweramplifier5-channel(BTL)built-in. •IOmax1A. •Levelshiftcircuitbuilt-in. •Threechannels(2-1-1)ofMUTEcircuit(outputON/OFF)incorporated.OnlyCH5normallyON. (Operativeindependentlyforeach	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LMC6572	文件：1.15455 Mbytes Page：22 Pages	LMC6572/LMC6574DualandQuadLowVoltage(2.7Vand3V)OperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMC6572	文件：429.82 Kbytes Page：13 Pages	LowVoltage(2.7Vand3V)OperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6572AIM	文件：429.82 Kbytes Page：13 Pages	LowVoltage(2.7Vand3V)OperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6572AIM/NOPB	文件：1.15455 Mbytes Page：22 Pages	LMC6572/LMC6574DualandQuadLowVoltage(2.7Vand3V)OperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMC6572AIMNOPB	文件：1.15325 Mbytes Page：22 Pages	LMC6572/LMC6574DualandQuadLowVoltage(2.7Vand3V)OperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6572AIMSLASHNOPB	文件：1.15455 Mbytes Page：22 Pages	LMC6572/LMC6574DualandQuadLowVoltage(2.7Vand3V)OperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
FDS6572A
功能描述：
MOSFET SO-8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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