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FDS6574A

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed. Features • 16 A, 20

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FAIRCHILD

仙童半导体

FDS6574A

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:401.02 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS6574A-NL

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features • VDS= 30V, ID= 25 A RDS(ON)

文件:974.53 Kbytes 页数:5 Pages

BYCHIP

百域芯

FDS6574A_08

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:401.02 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS6574A

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,16A,6mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •16A、20 V\n•RDS(on) = 6 mΩ@ VGS = 4.5 V\n•RDS(on) = 7 mΩ @ VGS = 2.5 V\n•RDS(on) = 9 mΩ @ VGS = 1.8 V\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    1.5

  • ID Max (A):

    16

  • PD Max (W):

    2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    7

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    43

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    75

  • Ciss Typ (pF):

    7657

  • Package Type:

    SOIC-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Fairchild(飞兆/仙童)
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