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FDR4410	文件：220.45 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheFDR4410hasbeendesignedasasmaller,lowcostalternativetothepopularSi4410DY. TheSuperSOTTM-8packageis40smallerthantheSO-8package. TheSuperSOTTM-8advancedpackagedesignandoptimizedpinoutallowthetypicalpowerdissipationtobesimilartothebigg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4410	文件：241.99 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheMOSFETfeaturesfasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithco	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4410A	文件：112.08 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQS4410	文件：598.18 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK4410D	文件：510.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTSO4410	文件：316.65 Kbytes Page：9 Pages	SmallSignalGeneralPurposeAmplifiers&Switchs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GAPM4410	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
GC4410	文件：106.98 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEPINDIODES DESCRIPTION TheGC4400seriesarehighvoltage,highpower(cathodebase)PINdiodes.Thesehighresistivitysilicondevicesareglasspassivatedforhighstabilityandreliabilityandhavebeenprovenbythousandsofdevicehoursinhighreliabilitysystems. KEYFEATURES Availableasp	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GC4410	文件：157.44 Kbytes Page：4 Pages	CONTROLDEVICES-HIGHVOLTAGEPINDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GSC4410	文件：309.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

详细参数

型号：
FDR4410
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDR4410供应商更新时间2025-7-22 16:30:00

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