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FDR4410中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDR4410
厂商型号

FDR4410

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

220.45 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 18:18:00

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FDR4410规格书详情

General Description

The FDR4410 has been designed as a smaller, low cost alternative to the popular Si4410DY.

The SuperSOTTM-8 package is 40 smaller than the SO-8 package.

The SuperSOTTM-8 advanced package design and optimized pinout allow the typical power dissipation to be similar to the bigger SO-8 package.

Features

■ 9.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.013 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.020 Ω @ VGS = 4.5 V.

■ High density cell design for extremely low RDS(ON).

■ Proprietary SuperSOTTM-8 small outline surface mount package with high power and current handling capability.

产品属性

  • 型号:

    FDR4410

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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