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FDR840P	文件：78.69 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesaruggedgatePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–10A,–20V.RDS(ON)=12mΩ@VGS=–4.5VRDS(ON)=17.5mΩ@VGS=–2.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDR840P	文件：416.88 Kbytes Page：24 Pages	Thermoelectric Cooler Controller GENERALDESCRIPTION TheADN8830isamonolithiccontrollerthatdrivesathermoelectriccooler(TEC)tostabilizethetemperatureofalaserdiodeorapassivecomponentusedintelecommunicationsequipment. Thisdevicereliesonanegativetemperaturecoefficient(NTC)thermistortosenset	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FDR840P	文件：279.17 Kbytes Page：22 Pages	Thermoelectric Cooler Controller GENERALDESCRIPTION TheADN8830isamonolithiccontrollerthatdrivesathermoelectriccooler(TEC)tostabilizethetemperatureofalaserdiodeorapassivecomponentusedintelecommunicationsequipment. Thisdevicereliesonanegativetemperaturecoefficient(NTC)thermistortosenset	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FM840	文件：34.24 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM840	文件：79.05 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM840	文件：142.89 Kbytes Page：5 Pages	8Amps500VoltageNChannelMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FM840	文件：119.35 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM840-B	文件：78.5 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM840-B	文件：69.45 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM840C	文件：164.26 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

详细参数

型号：
FDR840P
功能描述：
MOSFET SSOT-8 P-CH 2.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDR840P供应商更新时间2025-7-23 11:04:00

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