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FDR842P	文件：141.79 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel –1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications. Features • –11 A, –12 V RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 16 mΩ 文件：141.79 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDR842P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
GL842	文件：517.669 Kbytes Page：64 Pages	USB 2.0 2-in-1 Scanner Controller 文件：517.669 Kbytes 页数：64 Pages	GENESYS 创惟科技	GENESYS
HAH842	文件：120.35 Kbytes Page：1 Pages	SMT Power Inductor 文件：120.35 Kbytes 页数：1 Pages	DELTA 台达电子	DELTA
HMC842	文件：961.06 Kbytes Page：11 Pages	RF ATE Applications 文件：961.06 Kbytes 页数：11 Pages	AD 亚德诺	AD

详细参数

型号：
FDR842P
功能描述：
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDR842P供应商更新时间2026-1-18 9:38:00

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