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HY6N60FT	文件：111.84 Kbytes Page：4 Pages	600V/6.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY6N60T	文件：111.84 Kbytes Page：4 Pages	600V/6.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRF6N60	文件：158.62 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF6N60FP	文件：158.62 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRFIB6N60A	文件：149.09 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=0.75ohm,Id=5.5A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowerswitching HighVoltageIsolation=2.5KVRMS Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacteri	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB6N60A	文件：319.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFIB6N60A	文件：159.49 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB6N60APBF	文件：223.44 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB6N60APBF	文件：200.13 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
KF6N60D	文件：488.18 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=5A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
4.5
PD Max (W)：
33.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2000
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
14.5
Ciss Typ (pF)：
650
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	FDPF6N60ZUT	FSC	19+	TO-220F	18974		询价
深圳市坤融电子科技有限公司	FDPF6N60ZUT	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220F	1105	原厂授权代理价格绝对优势	询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	FDPF6N60ZUT	仙童	24+	NA	6800		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDPF6N60ZUT	onsemi(安森美)	24+	TO-220F	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市恒创达实业有限公司	FDPF6N60ZUT	仙童	17+	NA	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FDPF6N60ZUT	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市达恩科技有限公司	FDPF6N60ZUT	ONSemiconductor	24+	NA	3006	进口原装正品优势供应	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	FDPF6N60ZUT	FAIRCHILD	25+23+	TO220F	9858	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市纳立科技有限公司	FDPF6N60ZUT		三年内		1983	只做原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDPF6N60ZUT	FAIRCHILD	20+	TO-220F	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

更多FDPF6N60ZUT供应商更新时间2025-7-29 13:31:00

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