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HY6N60T	文件：111.84 Kbytes Page：4 Pages	600V / 6.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRF6N60	文件：158.62 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF6N60FP	文件：158.62 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRFIB6N60A	文件：319.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFIB6N60A	文件：149.09 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=0.75ohm,Id=5.5A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowerswitching HighVoltageIsolation=2.5KVRMS Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacteri	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB6N60A	文件：159.49 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB6N60APBF	文件：223.44 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB6N60APBF	文件：200.13 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
KF6N60D	文件：488.18 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=5A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF6N60P	文件：1.22673 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=6A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
HY6N60T
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
600V/6.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	HY-6PLTPZ		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HY7030HYNR	AF	23+	SOT-23	122212	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳中芯器材有限公司	HY-7070-W	HanElectricity(瀚源)	23+	-	2445	原装现货/专做开关15年	询价
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更多HY6N60T供应商更新时间2025-7-13 11:06:00

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