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FDP79N15	文件：332.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 79A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.03Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP79N15	文件：1.29493 Mbytes Page：10 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：1.29493 Mbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP79N15	文件：391.96 Kbytes Page：10 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：391.96 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP79N15	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDP79N15_07	文件：391.96 Kbytes Page：10 Pages	150V N-Channel MOSFET 文件：391.96 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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更多FDP79N15供应商更新时间2026-1-21 22:59:00