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FDPF12N50NZT	文件：854.77 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel UniFETTM II MOSFET 500 V, 11.5 A, 520 m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
12N50	文件：171.78 Kbytes Page：6 Pages	12Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC12N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N50	文件：167.59 Kbytes Page：6 Pages	12A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N50	文件：68.04 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=12A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
12N50ES	文件：1.039369 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N50K-MT	文件：214.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AM12N50P	文件：330.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel500-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AOB12N50	文件：262.85 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB12N50	文件：439.68 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB12N50	文件：297.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB12N50	文件：1.03888 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB12N50L	文件：1.03892 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB12N50L	文件：439.68 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT12N50	文件：303.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT12N50	文件：1.03218 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT12N50	文件：262.85 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT12N50	文件：439.68 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT12N50	文件：180.06 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF12N50	文件：180.06 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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详细参数

型号：
FDPF12N50NZT
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
UniFET-II™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDPF12N50NZT供应商更新时间2024-5-15 10:19:00

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