N-Channel PowerTrench MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

40 V、80 A、2.7 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench®

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 80 A, 3.5 mΩ 典型 rDS(on) = 2.7 mΩ （VGS = 10 V、ID = 80 A）\n VGS = 10V时，Qg(10) = 142nC（典型值）\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDP8443；Package：TO-220AB；N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.5mΩ

Features - Typ rDS(on) = 2.7mΩ at VGS = 10V, ID = 80A - Typ Qg(10) = 142nC at VGS = 10V - Low Miller Charge - Low Qrr Body Diode - UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) - Qualified to AEC Q101 - RoHS Compliant Applications - Automotive Engine Control - Powertrain Managemen

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安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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