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FDPC4044

共漏极,N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,27A,4.3mΩ

此器件特别设计为一个单封装解决方案,以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 该器件具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET,支持双向电流。 FDPC4044 结合了飞兆的先进工艺以及艺术级封装工艺,从而最大程度地减少了通态电阻。 •rS1S2(on)最大值 = 4.3 mΩ(VGS = 10 V、IS1S2 = 27 A)\n•rS1S2(on)最大值 = 6.4 mΩ(VGS = 4.5 V、IS1S2 = 23 A)\n•封装尺寸/高度: 3.3 x 3.3 x 0.8 mm\n•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗 \n• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDPC4044

Common Drain N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:385.03 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDPC4044-P

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET N-CHANNEL 8MLP

ONSEMI

安森美半导体

GV4044DH

GV series voltage adjustable integrated solid state module

文件:657.58 Kbytes 页数:3 Pages

GREEGOO

HCC4044B

QUAD 3-STATE R-S LATCHES

DESCRIPTION TheHCC4043B, HCC4044B, (extended temperature range) and the HCF4043B, HCF4044B(inter mediate temperature range) are monolithic integrated circuits, available in 16-lead dual in-line plastic or ceramic package and plastic micropackage. The HCC/HCF4043Btypes are quad cross coupled 3-

文件:302.95 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

HCC4044B

RadHardened high voltage complementary MOS logic series

文件:141.35 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    27

  • PD Max (W):

    2.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=6.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1=Q2=4.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    18

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    35

  • Ciss Typ (pF):

    2295

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDPC4044供应商 更新时间2025-10-9 18:51:00