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FDMS6681Z中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-122A,3.2mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS6681Z

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-122A,3.2mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 20:00:00

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FDMS6681Z规格书详情

描述 Description

FDMS6681Z设计用于最大限度地降低负载开关应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合,提供了最低rDS(on)和ESD保护。

特性 Features

•VGS = -10 V,ID = -21.1 A时,最大rDS(on) = 3.2 mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -15.7 A时,最大rDS(on) = 5.0 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•HBM静电放电保护等级为8 kV,典型值(注3)
•MSL1耐用封装设计
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS6681Z

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-122

  • PD Max (W)

    :73

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :39

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :97

  • Ciss Typ (pF)

    :7803

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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