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FDMS4435BZ中文资料P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-18A，20mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS4435BZ规格书详情
描述 Description
这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•在VGS = -10 V且ID = -9.0 A时，最大值rDS(on) = 20 mΩ
•在VGS = -4.5 V且ID = -6.5 A时，最大值rDS(on) = 37 mΩ
•为电池应用提供了扩展的VGSS电压范围(-25 V)
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•HBM ESD保护级别>7 KV典型值（注4）
•100%经过UIL测试
•终端是符合RoHS标准的无铅产品
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
：FDMS4435BZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-25
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-18
- PD Max (W)
：39
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：37
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：1540
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN8 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
PQFN-8 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
VB |
25+ |
Power56 |
3031 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/FSC |
1252 |
POWER56 |
5 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
D2PAK |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
PQFN-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
PQFN-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON |
23+ |
DFN |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
DFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
