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FDMS4435BZ	文件：266.29 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30 V, -18 A, 20 m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance.ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：65.65 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：264.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrench?줞OSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：637.39 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features •–8.8A,–30VRDS(ON)=20mW@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：429.15 Kbytes Page：7 Pages	-30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandload switchingapplicationscommoninNotebookComputersand PortableBatteryPacks. Features VDS(V)=-30V ID=-8.8A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDS4435A	文件：264.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrench?줞OSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435A	文件：172.6 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435A-NL	文件：1.00476 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS4435BZ	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435BZ	文件：288.78 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-8.8A,20m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDMS4435BZ
功能描述：
MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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