FDMS3686S中文资料不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V数据手册ONSEMI规格书
FDMS3686S规格书详情
描述 Description
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。
特性 Features
• Q1： N沟道
•VGS = 10V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8mΩ
•VGS = 4.5V，ID = 11A时，最大rDS(on) = 11mΩQ2： N沟道
•VGS = 10V，ID = 23A时，最大rDS(on) = 2.8mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 21 A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ
应用 Application
• 台式计算机
技术参数
- 制造商编号
：FDMS3686S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 2.7
- ID Max (A)
：Q1: 13.0
- PD Max (W)
：Q1:2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 11. Q2: 3.8
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 8. Q2: 2.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：1820
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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