不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，30V

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。 • Q1： N沟道\n•VGS = 10V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 11A时，最大rDS(on) = 11mΩQ2： N沟道\n•VGS = 10V，ID = 23A时，最大rDS(on) = 2.8mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 21 A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ;

ONSEMI

安森美半导体

PowerTrench짰 Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

Step-Down DC-DC Converter with Integrated Post Linear Regulators System and Low-Noise Linear Regulator

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NSC

国半

Step-Down DC-DC Converter with Integrated Post Linear Regulators System and Low-Noise Linear Regulator

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TI

德州仪器

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TI

德州仪器