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FDMS3672中文资料N 沟道,UltraFET® Trench MOSFET,100V,22A,23mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS3672

功能描述

N 沟道,UltraFET® Trench MOSFET,100V,22A,23mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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FDMS3672规格书详情

描述 Description

UItraFET器件结合了各种特性,可在功率转换应用中提供基准效率。 由于针对rDS(on)、低ESR、低总电荷和米勒栅极电荷进行了优化,这些器件是高频DC到DC转换器的理想选择。

特性 Features

•VVGS = 10V,ID = 7.4A时,最大RDS(on) = 23 mΩ
•VGS = 6V,ID = 6.6A时,最大RDS(on) = 29 mΩ
•VGS = 10V时,Qg= 31nC(典型值)
•低米勒电荷
•优化高频率时的效率
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS3672

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :22

  • PD Max (W)

    :78

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :18

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :31

  • Ciss Typ (pF)

    :2015

  • Package Type

    :DFN-8

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