首页>FDME820NZT>规格书详情
FDME820NZT中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，9A，18mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDME820NZT规格书详情
描述 Description
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 1.8 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。
特性 Features
•VGS = 4.5V，ID = 9A时，最大rDS(on) = 18mΩ
•VGS = 2.5 V，ID = 7.5 A时，最大rDS(on) = 24mΩ
•VGS = 1.8 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 32mΩ
•薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
•不含有卤化合物和氧化锑
•HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDME820NZT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1
- ID Max (A)
：9
- PD Max (W)
：2.1
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：24
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：18
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：15
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.5
- Ciss Typ (pF)
：865
- Package Type
：UDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
13000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2016+ |
QFN |
13000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1333+ |
DFN |
6340 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
相桐 |
24+ |
SMD |
400 |
全新原装数量均有多电话咨询 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
6PowerUFDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
UDFN-6 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDME820NZT即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
14245 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
UMLP1.6X1.6 |
6500 |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
DFN6 |
36200 |
一级代理/全新现货/长期供应! |
询价 |
