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FDME820NZT中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,9A,18mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDME820NZT

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,9A,18mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:41:00

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FDME820NZT规格书详情

描述 Description

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,用于优化VGS = 1.8 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

特性 Features

•VGS = 4.5V,ID = 9A时,最大rDS(on) = 18mΩ
•VGS = 2.5 V,ID = 7.5 A时,最大rDS(on) = 24mΩ
•VGS = 1.8 V,ID = 7 A时,最大rDS(on) = 32mΩ
•薄型: 0.55 mm最大值,新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
•不含有卤化合物和氧化锑
•HBM静电放电保护等级为>2.5kV(注3)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDME820NZT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :2.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :24

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :18

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :15

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8.5

  • Ciss Typ (pF)

    :865

  • Package Type

    :UDFN-6

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