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FDME820NZT中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,9A,18mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDME820NZT规格书详情
描述 Description
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,用于优化VGS = 1.8 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。
特性 Features
•VGS = 4.5V,ID = 9A时,最大rDS(on) = 18mΩ
•VGS = 2.5 V,ID = 7.5 A时,最大rDS(on) = 24mΩ
•VGS = 1.8 V,ID = 7 A时,最大rDS(on) = 32mΩ
•薄型: 0.55 mm最大值,新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
•不含有卤化合物和氧化锑
•HBM静电放电保护等级为>2.5kV(注3)
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDME820NZT
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:20
- VGS Max (V)
:12
- VGS(th) Max (V)
:1
- ID Max (A)
:9
- PD Max (W)
:2.1
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:24
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:18
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:15
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:8.5
- Ciss Typ (pF)
:865
- Package Type
:UDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
23+ |
DFN6 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
DFN6 |
36200 |
一级代理/全新现货/长期供应! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
MicroFET(1 |
11318 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
Fairchild Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
14245 |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
相桐 |
25+23+ |
SMD |
59617 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
MICROFET |
25000 |
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询价 |