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FDMC6890NZ中文资料20V双N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMC6890NZ

功能描述

20V双N沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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FDMC6890NZ规格书详情

描述 Description

FDMC6890NZ是一种针对DC到DC转换器的紧凑型单封装解决方案,具有出色的热性能和开关特性。 Power 33封装中包含两个N沟道MOSFET,通过低通态电阻和低栅极电荷最大限度地提高功率转换和开关效率。 Q1开关还集成了栅极保护,以免出现非箝位电压输入。

特性 Features

• Q1: N沟道
• 最大值 RDS(on) = 100mΩ(VGS = 2.5V,ID = 3A)Q2: N沟道
• 低栅极电荷
• 符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC6890NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :4

  • PD Max (W)

    :1.92

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1: 100

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.8

  • Ciss Typ (pF)

    :190

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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