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NX6308GH	文件：221.59 Kbytes Page：9 Pages	1310nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR1.25Gb/sFTTHPONAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6308GHisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=10.0mW •Lowthresholdcurrentlth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.4W/A •Wideoperatingtemperat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6308GH	文件：191.97 Kbytes Page：7 Pages	1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX6308GH-AZ	文件：191.97 Kbytes Page：7 Pages	1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Laboratories	CEL
P-6308	文件：416.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PCI-6308	文件：230.79 Kbytes Page：1 Pages	8-CH12-BitIsolatedAnalogOutputCards	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PCI-6308A	文件：230.79 Kbytes Page：1 Pages	8-CH12-BitIsolatedAnalogOutputCards	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
FDG6308
功能描述：
MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDG6308供应商更新时间2024-5-16 14:10:00

详细参数

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