isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 210A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.5mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch m

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ISC

无锡固电

Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，75 V，210 A，5.5 mΩ，TO-247

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on)=4.65 mΩ（典型值） @ VGS=10 V, ID=125 A\n•低栅极电荷（典型值 232 nC)\n•低Crss（典型值 262 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 性能;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 75V TO247-3

ONSEMI

安森美半导体