FDH210N08数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

描述 Description

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on)=4.65 mΩ（典型值） @ VGS=10 V, ID=125 A
•低栅极电荷（典型值 232 nC)
•低Crss（典型值 262 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

简介

FDH210N08属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDH210N08晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。