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FDG6318PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDG6318PZ

功能描述

双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20 V,-0.5 A,307 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:36:00

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FDG6318PZ规格书详情

描述 Description

这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体的先进工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 此类器件专为双极数字晶体管和小信号MOSFET而设计

特性 Features

•-0.5A,-20V
•RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
•极低电平的栅极驱动要求允许直接在3V电路中运行(VGS(TH)< 1.5V)。
•栅-源齐纳二极管可增强耐静电放电能力(>1.4kV人体模型)。
•紧凑的工业标准SC-70-6表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDG6318PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-0.5

  • PD Max (W)

    :0.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=1200

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=780

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.67

  • Ciss Typ (pF)

    :85.4

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原厂
23+
SOT-363
9000
原装正品,假一罚十
询价
FAIRCHILD
SC70-6
6000
原装长期供货!
询价
FAIRCHILD
23+
SC70-6
60000
原装正品现货
询价
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
31273
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
ON/安森美
2023+
SOT-363
9000
专注全新正品,优势现货供应
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
SOT-363
300
原装现货假一赔十
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ON/安森美
2223+
SOT-363
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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FAIRCHILD
25+
SC70-6
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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VBsemi/台湾微碧
23+
SOT-363
30000
代理全新原装现货,价格优势
询价
ON/安森美
22+
SOT-363
12080
原装正品
询价