FDG6318PZ中文资料双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20 V，-0.5 A，307 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDG6318PZ规格书详情
描述 Description
这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体的先进工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 此类器件专为双极数字晶体管和小信号MOSFET而设计
特性 Features
•-0.5A，-20V
•RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
•极低电平的栅极驱动要求允许直接在3V电路中运行(VGS(TH)< 1.5V)。
•栅-源齐纳二极管可增强耐静电放电能力（>1.4kV人体模型）。
•紧凑的工业标准SC-70-6表面贴装封装。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6318PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-0.5
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=1200
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=780
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.67
- Ciss Typ (pF)
：85.4
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
9048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT363 |
3000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
原装 |
32000 |
FAIRCHILD/仙童全新特价FDG6318PZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
957 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ON |
1931+ |
SC70-6 |
800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
SOT-363 |
15000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |
