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FDG6317NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDG6317NZ

功能描述

双 20V N 沟道 PowerTrench® MOSFET,0.7 A,400 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:47:00

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FDG6317NZ规格书详情

描述 Description

该双N沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。 它专为小型开关调节器而优化,可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

特性 Features

•0.7A,20V
•RDS(ON) = 400 mΩ @ VGS = 4.5V
•RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = 2.5V
•静电放电(ESD)保护二极管(注3)
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDG6317NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :0.7

  • PD Max (W)

    :0.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=550

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=400

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.76

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.76

  • Ciss Typ (pF)

    :66.5

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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