FDG6308P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG6308P规格书详情
描述 Description
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-0.6 A、-20 V。
•RDS(ON)= 0.40Ω @ VGS = –4.5 V
•RDS(ON) = 0.55Ω @ VGS = –2.5 V
•RDS(ON) = 0.80Ω @ VGS = –1.8 V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6308P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-0.6
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=550
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=400
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.76
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.8
- Ciss Typ (pF)
：153
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
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标准封装 |
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FSC |
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