FDG6303N中文资料双N沟道数字FET数据手册ONSEMI规格书
FDG6303N规格书详情
描述 Description
这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
特性 Features
•25V、0.50A（连续值）、1.5A（峰值）。
•RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V，
•RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。
•电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6303N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.5
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=600
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=450
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.64
- Ciss Typ (pF)
：50
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
76048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SC70-6 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SO70-6 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-363 |
39026 |
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询价 | ||
23+ |
原厂封装 |
11888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SC-70-6 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
15+ |
SOT363 |
802 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
SC70-6 |
6850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SC70-6 |
650 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 |
