FDG6301N数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG6301N规格书详情
描述 Description
这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
特性 Features
•25 V、0.22 A（连续值）、0.65 A（峰值）。
•RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V，
•RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。
•电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG6301N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.22
- PD Max (W)
：0.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=5000
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=4000
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.29
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：0.29
- Ciss Typ (pF)
：9.5
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
SMD |
23+ |
6000 |
专业配单原装正品假一罚十 |
询价 | ||
FCS |
24+ |
SC70-6 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON |
25+ |
SOT23 |
24000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
BELLWAVE |
24+ |
5480 |
原装现货,特价销售 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SC70-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT363 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SOT363 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON/FSC |
24+ |
SOT23 |
36000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
SC-70-6 |
8484 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
