FDG313N数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDG313N规格书详情
描述 Description
该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极性数字晶体管和小信号MOSFET。
特性 Features
0.95 A，25 V。 RDS(on) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V。 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。
低栅极电荷（1.64nC典型值）
极低电平的栅极驱动要求允许直接在3 V电路(VGS(th)1.5V)中进行操作。
栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（6kV人体模型）。
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDG313N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel Digital FET 25V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.95
- PD Max (W)
：0.75
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：620
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：450
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.64
- Ciss Typ (pF)
：50
- Package Type
：SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
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