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FDFS6N548数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDFS6N548

功能描述

集成式 N 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,30V,7A,23mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDFS6N548规格书详情

描述 Description

FDFS6N548将飞兆的PowerTrench MOSFET技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 7A时,最大rDS(on) = 23 mΩ
•VGS = 4.5V,ID = 0A时,最大rDS(on) = 30 mΩ
•VF < 0.45V (2A)
•VF < 0.28V (100mA)
•肖特基和MOSFET整合入单个功率表面贴装SO-8封装
•电气独立肖特基和MOSFET引脚输出提供设计的灵活性
•低米勒电荷

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDFS6N548

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9

  • Ciss Typ (pF)

    :525

  • Package Type

    :SOIC-8

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